日本napson非接觸脈沖電壓激勵法超低電阻計
節省空間的設計主體外殼,便攜式可移動平臺
通過PC(軟件)進行簡單的測量操作,數據存儲和管理
測量顯示單元可以根據應用(薄層電阻,電導率,電導率)進行更改
*本產品使用由我公司與千葉大學聯合開發的脈沖電壓激勵方法(篆隸號5386394)。
測量目標
與新材料/功能材料相關(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)與
導電薄膜相關(金屬,ITO等)
與化合物半導體相關(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*查詢)請給我)
測量尺寸
?A4尺寸(W300 x D210mm)
測量范圍
50μ?1mΩ/平方
節省空間的設計主體外殼,便攜式可移動平臺
通過PC(軟件)進行簡單的測量操作,數據存儲和管理
測量顯示單元可以根據應用(薄層電阻,電導率,電導率)進行更改
*本產品使用由我公司與千葉大學聯合開發的脈沖電壓激勵方法(篆隸號5386394)。
測量目標
與新材料/功能材料相關(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)與
導電薄膜相關(金屬,ITO等)
與化合物半導體相關(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
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測量尺寸
?A4尺寸(W300 x D210mm)
測量范圍
50μ?1mΩ/平方
日本napson非接觸脈沖電壓激勵法超低電阻計
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