日本napson計算機操作非接觸電阻測量裝置
測量目標
半導體/太陽能電池材料相關(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相關(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
導電薄膜相關(金屬,ITO等)
硅基外延,離子與
半導體相關的注入樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*請與我們聯系)
測量尺寸
3-8英寸?156 x 156毫米
(可選; 2英寸或12英寸?210 x 210毫米)
測量范圍
[電阻] 1m至200Ω·cm
(*所有探頭類型的總范圍/厚度500um)
[板電阻] 10m至3kΩ / sq
(*所有探頭類型的總范圍)
*有關每種探頭類型的測量范圍,請參閱以下內容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
測量目標
半導體/太陽能電池材料相關(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相關(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
導電薄膜相關(金屬,ITO等)
硅基外延,離子與
半導體相關的注入樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*請與我們聯系)
測量尺寸
3-8英寸?156 x 156毫米
(可選; 2英寸或12英寸?210 x 210毫米)
測量范圍
[電阻] 1m至200Ω·cm
(*所有探頭類型的總范圍/厚度500um)
[板電阻] 10m至3kΩ / sq
(*所有探頭類型的總范圍)
*有關每種探頭類型的測量范圍,請參閱以下內容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
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