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產(chǎn)品資料
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日本napson半自動(dòng)4探針薄層電阻測(cè)試儀

產(chǎn)品名稱: 日本napson半自動(dòng)4探針薄層電阻測(cè)試儀
產(chǎn)品型號(hào): Cresbox
產(chǎn)品特點(diǎn): 日本napson半自動(dòng)4探針薄層電阻測(cè)試儀
測(cè)量模式可編程和圓形/方形測(cè)量兼容的繪圖軟件
自檢功能，測(cè)量范圍廣
厚度/周邊位置/溫度補(bǔ)償功能（硅）
薄層電阻/金屬膜厚顯示功能

日本napson半自動(dòng)4探針薄層電阻測(cè)試儀 的詳細(xì)介紹

日本napson半自動(dòng)4探針薄層電阻測(cè)試儀

 

 

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

  • 與半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）
  • 新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
  • 導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
  • 擴(kuò)散樣品硅基外延離子注入樣品
  • 其他（*請(qǐng)與我們聯(lián)系）

測(cè)量尺寸

?8英寸，或?156x156mm

 

測(cè)量范圍

[電阻（比電阻）] 1m至300kΩ·cm 
[板電阻] 5m至10MΩ/ sq

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

  • 與半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）
  • 新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
  • 導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
  • 擴(kuò)散樣品硅基外延離子注入樣品
  • 其他（*請(qǐng)與我們聯(lián)系）

測(cè)量尺寸

?8英寸，或?156x156mm

 

測(cè)量范圍

[電阻（比電阻）] 1m至300kΩ·cm 
[板電阻] 5m至10MΩ/ sq

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

  • 與半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）
  • 新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
  • 導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
  • 擴(kuò)散樣品硅基外延離子注入樣品
  • 其他（*請(qǐng)與我們聯(lián)系）

測(cè)量尺寸

?8英寸，或?156x156mm

 

測(cè)量范圍

[電阻（比電阻）] 1m至300kΩ·cm 
[板電阻] 5m至10MΩ/ sq

日本napson半自動(dòng)4探針薄層電阻測(cè)試儀

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